SEM掃描電鏡的工作模式主要包括以下幾種：

次外殼成像模式（SEI）：在此模式下，SEM通過(guò)探測(cè)下方產(chǎn)生的二次電子和表面的次電子，形成次表面成像。這種模式可用于研究樣品表面的形貌特征，如表面粗糙度和形態(tài)。

高角度底層成像模式（BSE）：當(dāng)在樣品表面裝上低原子數(shù)的薄膜時(shí)，使用BSE模式可以觀察到帶有原子序數(shù)反比于信號(hào)強(qiáng)度的圖像。BSE信號(hào)主要來(lái)源于高能電子與樣品中的原子作用，因此成像亮度相對(duì)較高，適用于研究材料表面顯微組織結(jié)構(gòu)的表征。

散射電子成像模式（SED）：散射電子成像可能涉及從樣品中發(fā)出的慢電子（低能散射）或快電子（高能散射）。這些電子的強(qiáng)度與原子序數(shù)成反比，因此可以用來(lái)顯示材料的組織結(jié)構(gòu)、缺陷和晶界面等信息。

反射電子成像模式（RSE）：在正常操作模式下，電子束頂部的接近水平方向，從而進(jìn)行成像。

除了上述的成像模式，SEM還有以下基本工作模式：

高真空模式：這是SEM的基本工作模式，其中樣品和檢測(cè)器被置于真空環(huán)境中，以減少電子束與氣體的相互作用，從而提供清晰的圖像和較高的分辨率。這種模式適用于大多數(shù)樣品觀察和分析，特別是固態(tài)樣品。

低真空模式：允許在較高的氣壓下進(jìn)行觀察，而無(wú)需對(duì)樣品進(jìn)行涂覆或處理。這種模式提供了更高的樣品適應(yīng)性，并減少了電子束與氣體相互作用產(chǎn)生的充電效應(yīng)。

某些SEM設(shè)備還具備其他先進(jìn)的工作模式，如：

透射電子顯微鏡模式（TEM）：允許使用透射電子探測(cè)器進(jìn)行樣品的透射電子顯微觀察，提供更高的分辨率和更詳細(xì)的樣品內(nèi)部信息，適用于納米級(jí)別的結(jié)構(gòu)和成分分析。

掃描透射電子顯微鏡模式（STEM）：這種模式將電子束掃描到樣品上，同時(shí)收集透射電子的散射信號(hào)，用于樣品表面的高分辨率成像和元素分析。STEM模式在高分辨率成像和原子級(jí)結(jié)構(gòu)分析方面具有很高的能力。

這些工作模式使得SEM掃描電鏡能夠適用于多種不同的研究需求和應(yīng)用場(chǎng)景，從表面形貌分析到內(nèi)部結(jié)構(gòu)研究，都能提供精確而詳細(xì)的數(shù)據(jù)。如需更具體的信息，建議查閱相關(guān)設(shè)備的技術(shù)手冊(cè)或咨詢專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員。